BTS611L1 |
RFQ for BTS611L1 |
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| Technical/Catalog Information | BTS611L1 |
| Vendor | Infineon Technologies |
| Category | Integrated Circuits (ICs) |
| Package / Case | TO-220AB-7 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Type | High Side |
| Voltage - Supply | 5 V ~ 34 V |
| On-State Resistance | 160 mOhm |
| Current - Output / Channel | 2.3A |
| Current - Peak Output | 7.5A |
| Packaging | Tube |
| Input Type | Non-Inverting |
| Number of Outputs | 2 |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | BTS611L1 BTS611L1 BTS611L1IN ND BTS611L1INND BTS611L1IN |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| BTS611L1 | - | TO-263-6 | 07+ |
N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS® technology. Fully protected by embedded protection functions.
Typical Application |
Features |
| • µC compatible power switch with diagnostic feedback for 12 V and 24 V DC grounded loads• All types of resistive, inductive and capacitve loads• Replaces electromechanical relays, fuses and discrete circuits | • Overload protection• Current limitation• Short circuit protection• Thermal shutdown• Overvoltage protection (including load dump)• Fast demagnetization of inductive loads• Reverse battery protection1)• Undervoltage and overvoltage shutdown with auto-restart and hysteresis• Open drain diagnostic output• Open load detection in ON-state• CMOS compatible input• Loss of ground and loss of Vbb protection• Electrostatic discharge (ESD) protection |
| Parameter |
Symbol |
Values |
Unit | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Supply voltage (overvoltage protection see page 4) | Vbb |
43 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Supply voltage for full short circuit protection Tj Start=-40 ...+150°C |
Vbb |
34 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Load dump protection1) VLoadDump = VA + Vs, VA = 13.5 V RI2)= 2 Ω, R = 5.3 Ω, t = 200 ms, IN= low or high |
VLoaddump4) |
60 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Load current (Current limit, see page 5) | IL |
self-limited |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Operating temperature range Storage temperature range |
Tj Tstg |
-40 ...+150 -55 ...+150 |
°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Power dissipation (DC), TC 25 °C | Ptot |
36 |
W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Inductive load switch-off energy dissipation, single pulse Vbb = 12V, Tj,start = 150°C, TC = 150°C const. SupplierPost a Buying LeadPDF / DatasheetRelated PDFRelated Models
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